結晶界面 の最適な方位関係の評価に界面整合性評価 プログラムが役立ちます。

薄膜／基板界面、析出物／母材界面の最適な
方位関係を導出、形成される方位関係が予測可能。

逆格子一致法（CRLP 法）の適用により粒界だけでなく
対応格子理論（CSL理論）では不可能であった、薄膜
や複合材料で重要な異相界面の方位を予測することに
成功。
予測された方位関係が電子顕微鏡で観察 されています。

● Nb/Al2O3界面

結晶界面整合性評価により予測された方位関係が
実際の薄膜成長で形成された方位関係と完全一致。

● V/Al2O3界面

基板に対して３°のミスオリエンテーション角度を有する薄膜の形成を予測。
実際の薄膜で形成されています。

● Cu/Al2O3界面

幾何学的整合性の面内回転角度依存性を 明らかにすることが可能。
面内回転の存在する薄膜に適用可能です。

● 計算によって得られた結晶界面整合性が最大となる方位関係を視覚的に
　 分かりやすく表示します。
　　　（図１,V/MgO界面の場合青色：V、赤色：MgO)

● 結晶界面整合性が最大となる方位関係（図１）における
　 ミラー指数（(hkl)または[uvw]）を表示（図２）します。

● 図１の画面上でマウスのドラッグ操作により結晶を回転させることが可能です。
　 （図２のミラー指数も回転と同時に変化します）。
　　この機能により、結晶方位関係を非常に簡単に理解することができます。

● 2つの結晶の互いに平行な結晶面の算出が可能。（図３）例えば、図１の方位関係
　 の場合、Crystal１（赤色：MgO）の(110)面がcrystal２（青色：V）の(010)面に平行で
　 あることが算出できます。
　 この機能により、薄膜／基板界面などの方位 関係解析が容易にできます。

● ４Dプロファイルにより全体の様子を一目で確認できます。

● これらの計算データはCSVファイルに出力できます。